Filmes fluorescentes baseados em derivados de dansila foram preparados a partir de duas metodologias diferentes. Em uma delas, a superfície de um eletrodo de óxido de índio dopado com estanho (ITO) foi coberta com um filme de quitosana e o polímero foi posteriormente derivatizado com cloreto de dansila, enquanto que na outra metodologia, um filme de dansilglicina foi depositado eletroquimicamente sobre ITO. A técnica de microscopia de força atômica (AFM) foi usada para mapear a superfície dos filmes. A comparação das propriedades eletroquímicas, fotoquímicas e morfológicas destes filmes indicou que o filme de dansilglicina depositado eletroquimicamente sobre ITO apresentou resposta eletroquímica, nível de fluorescência mais intenso, maior rugosidade superficial e maior área superficial relativa em comparação com o seu homólogo quitosana-cloreto de dansila. Esse comportamento pode ser atribuído ao maior número de sítios ativos presentes na estrutura bem organizada do filme eletrodepositado em comparação com os filmes produzidos quimicamente