Neste trabalho é descrita a construção de um microssistema em silício para retenção de íons cobre(II). Processo fotolitográfico convencional foi empregado para transferir o padrão de microcanais para o substrato de silício. Utilizando corrosão por íons reativos (RIE) com plasma de SF6, foram produzidos canais de 50 µm de largura e 10 µm de profundidade. Os canais foram selados com vidro de borossilicato utilizando-se a técnica de soldagem anódica. Para promover a retenção dos íons cobre(II), a superfície dos canais foi modificada através de reação de silanização com N-(beta-aminoetil)-gama-aminopropiltrimetóxisilano. Os íons cobre(II) foram detectados amperometricamente na saída do canal utilizando-se um eletrodo de ouro. Os íons cobre(II) foram eluídos com HCl 50 mmol L-1 em um sistema micro-FIA com fluxo de 100 µL min-1. A reprodutibilidade em termos de área e altura do pico foram de 4,6 % e 10 %, respectivamente, para três injeções consecutivas de 600 µL de solução de cobre(II) 10 µmol L-1.
